Elektro- und Halbleitertechnik

Die hohe chemische Inertheit, Verträglichkeit gegenüber Reinstsilizium als auch elektrische Isolation und Hochtemperaturbeständigkeit prädestiniert Siliziumnitrid-Bauteile für Anwendungen in der Elektro- und Halbleitertechnik.

Die hohe chemische Inertheit, Verträglichkeit gegenüber Reinstsilizium als auch elektrische Isolation und Hochtemperaturbeständigkeit prädestiniert Siliziumnitrid-Bauteile für Anwendungen in der Elektro- und Halbleitertechnik. 
 
Deshalb dient unser Siliziumnitrid zur Herstellung von Platten und Scheiben, die beispielsweise als Wafer-Probecards und Trägerstrukturen für die Waferbearbeitung verwendet werden. 
 
Keramische Greifer ermöglichen das kontaminationsfreie Chargieren der Wafer.  
 
Wir bieten unseren Kunden zudem hochfeste Isolatoren, Abschirmplatten und Transportrollen für Beschichtungsanlagen sowie Wicklungsträger für Induktoren. Für hochtemperaturbeständige und -mechanisch belastbare Halbleiterbauelemente und Schaltungen kann Siliziumnitrid sogar als Substratmaterial Verwendung finden. 
 
Weiterhin fertigt QSIL Tiegel und Tiegelkomponenten für AlN- oder SiC-Einkristallzüchtungsanlagen auf Basis refraktärer Carbide wie TaC und WC.